该类抑制器具有“电撬”特性，通常与4层NPNP硅控双极装置或等离子气体/GDT装置有关。 一旦达到阈值或转折电压，则电流的进一步增加将导致设备快速导电，其正向电压降仅为几伏。实质上，线路在发生瞬态现象时将处于暂时的“短路”状态
整流二极管 是一种基于PN结构的半导体设备，它允许电流在一个方向上流动而在另一个方向上阻断，因此被广泛用于整流应用
适配器的首要任务是提供稳定的输出电压，以满足连接设备的电源需求。稳压二极管作为一种电压稳定器，能够通过维持一个固定的电压降，确保输出电压在变化的电源条件下保持稳定。这对于许多电子设备来说至关重要，特别是对于对电源电压敏感的设备，如计算机、手机充电器等
N沟道MOSFET具有位于源极和漏极端子之间的N沟道区域
电路的反向泄露是怎样小于肖特基二极管的呢？下面我们通过公式的换算来体现一下
根据二极管正向恢复效应，在二极管开通瞬间，二极管的阳极的电位会比阴极高很多，并持续几百纳秒,因此可以产生较大的电流
